Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon (1990)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: World Scientific
- Publisher place: Singapure
- Date published: 1990
- Conference titles: Brazilian School of Semiconductors Physics
-
ABNT
LINO, A T et al. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1990). Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. In . Singapure: World Scientific. -
NLM
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon. 1990 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Electronic structure of complex defects in silicon
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