Single electron states in lateral surface superllatice (1992)
- Authors:
- Autor USP: DEGANI, MARCOS HENRIQUE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/0749-6036(92)90366-d
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA; CIRCUITOS ELETRÔNICOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Superllatices and Microstructures
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.11, n.1 , p.79-82, 1992
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
DEGANI, Marcos Henrique e LEBURTON, J P. Single electron states in lateral surface superllatice. Superllatices and Microstructures, v. 11, n. 1 , p. 79-82, 1992Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0749-6036(92)90366-d. Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Degani, M. H., & Leburton, J. P. (1992). Single electron states in lateral surface superllatice. Superllatices and Microstructures, 11( 1 ), 79-82. doi:10.1016/0749-6036(92)90366-d -
NLM
Degani MH, Leburton JP. Single electron states in lateral surface superllatice [Internet]. Superllatices and Microstructures. 1992 ;11( 1 ): 79-82.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0749-6036(92)90366-d -
Vancouver
Degani MH, Leburton JP. Single electron states in lateral surface superllatice [Internet]. Superllatices and Microstructures. 1992 ;11( 1 ): 79-82.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0749-6036(92)90366-d - Exciton states in quantum wells and superlattices
- Propriedades eletronicas de um poco duplo assimetrico com dopagem delta
- High-energy oxygen phonon modes and superconductivity in 'BA IND.1-X''K IND.X''BI''O IND.3': an inelastic-neutron-scattering experiment and molecular-dynamics simulation
- Propriedades eletronicas de fios quanticos
- Captura de eletrons em 'AL IND.0.5''GA IND.0.5''AS'
- Energia do estado fundamental de um gas de eletrons em pocos quanticos de 'GA''AS'-'AL IND.X' 'GA IND.1-X' 'AS'
- Superconductivity in 'BA IND.1-X''K IND.X''BI''O IND.3'
- Nature of phonons and isotope effect in 'BA IND.1-X''KX''BI''O IND.3'
- Niveis eletronicos em sistema 'DELTA'-doping com campo eletrico e magnetico
- Tunelamento ressonante de eletrons entre dois pocos quanticos assimetricos com dopagem delta
Informações sobre o DOI: 10.1016/0749-6036(92)90366-d (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas