Calculos da estrutura eletronica de defeitos complexos em 'GA''AS' e em outros cristais semicondutores com carater ionico (1992)
- Authors:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1992
- Source:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
FRANCA, E J e ASSALI, L. V. C. Calculos da estrutura eletronica de defeitos complexos em 'GA''AS' e em outros cristais semicondutores com carater ionico. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Franca, E. J., & Assali, L. V. C. (1992). Calculos da estrutura eletronica de defeitos complexos em 'GA''AS' e em outros cristais semicondutores com carater ionico. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Franca EJ, Assali LVC. Calculos da estrutura eletronica de defeitos complexos em 'GA''AS' e em outros cristais semicondutores com carater ionico. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Franca EJ, Assali LVC. Calculos da estrutura eletronica de defeitos complexos em 'GA''AS' e em outros cristais semicondutores com carater ionico. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Electronic structure of erbium centers in silicon
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