Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia (1993)
- Authors:
- USP affiliated authors: PERES, HENRIQUE ESTANISLAU MALDONADO - EP ; FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMIREZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e PEREZ LISBOA, Mauricio Oscar e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Peres, H. E. M., Perez Lisboa, M. O., & Ramírez Fernandez, F. J. (1993). Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia. In Anais. Campinas: Sbmicro. -
NLM
Peres HEM, Perez Lisboa MO, Ramírez Fernandez FJ. Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia. Anais. 1993 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Peres HEM, Perez Lisboa MO, Ramírez Fernandez FJ. Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia. Anais. 1993 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Obtencao do perfil de impurezas utilizando a tecnica de resistencia de espraiamento
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