Estudo comparativo de estruturas de fonte e dreno de transistores mos submicrometricos (1992)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Epusp
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1992
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
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ABNT
MAFRA JUNIOR, J J e MARTINO, João Antonio. Estudo comparativo de estruturas de fonte e dreno de transistores mos submicrometricos. 1992, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1992. . Acesso em: 29 mar. 2024. -
APA
Mafra Junior, J. J., & Martino, J. A. (1992). Estudo comparativo de estruturas de fonte e dreno de transistores mos submicrometricos. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp. -
NLM
Mafra Junior JJ, Martino JA. Estudo comparativo de estruturas de fonte e dreno de transistores mos submicrometricos. Anais. 1992 ;[citado 2024 mar. 29 ] -
Vancouver
Mafra Junior JJ, Martino JA. Estudo comparativo de estruturas de fonte e dreno de transistores mos submicrometricos. Anais. 1992 ;[citado 2024 mar. 29 ] - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
- Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C
- Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
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