Estudo do confinamento de eletrons em 'GAMA'-doped de 'SI' em 'GA''AS' por um calculo de primeiros principios (1994)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1994
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Estudo do confinamento de eletrons em 'GAMA'-doped de 'SI' em 'GA''AS' por um calculo de primeiros principios. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1994). Estudo do confinamento de eletrons em 'GAMA'-doped de 'SI' em 'GA''AS' por um calculo de primeiros principios. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Schmidt TM, Fazzio A. Estudo do confinamento de eletrons em 'GAMA'-doped de 'SI' em 'GA''AS' por um calculo de primeiros principios. Resumos. 1994 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A. Estudo do confinamento de eletrons em 'GAMA'-doped de 'SI' em 'GA''AS' por um calculo de primeiros principios. Resumos. 1994 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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