Gallium arsenide integrated circuits development at telebras (1995)
- Authors:
- USP affiliated authors: VERRI, ANTONIO SANDRO - EP ; LUQUEZE, MARCOS AURELIO - EP ; CORRERA, FATIMA SALETE - EP ; CONSONNI, DENISE - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Instituto de Informatica da Ufrgs
- Publisher place: Porto Alegre
- Date published: 1995
- Source:
- Título do periódico: Proceedings
- Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
FINARDI, Celio Antonio et al. Gallium arsenide integrated circuits development at telebras. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Finardi, C. A., Fischer, R. A., Corso, V., Patiri Neto, V., Verri, A. S., Viveiros Júnior, D., et al. (1995). Gallium arsenide integrated circuits development at telebras. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs. -
NLM
Finardi CA, Fischer RA, Corso V, Patiri Neto V, Verri AS, Viveiros Júnior D, Consonni D, Correra FS, Hong KL, Luqueze MA, Abrao T. Gallium arsenide integrated circuits development at telebras. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 abr. 18 ] -
Vancouver
Finardi CA, Fischer RA, Corso V, Patiri Neto V, Verri AS, Viveiros Júnior D, Consonni D, Correra FS, Hong KL, Luqueze MA, Abrao T. Gallium arsenide integrated circuits development at telebras. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 abr. 18 ] - Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom)
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