New method for determining the front and back interface trap densities of accumulation mode soi mofets at 77k (1995)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Solid-State Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.38, n.10, p.1799-803, oct. 1995
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ABNT
MARTINO, João Antonio e SIMOEN, Eddy e CLAEYS, Cor. New method for determining the front and back interface trap densities of accumulation mode soi mofets at 77k. Solid-State Electronics, v. 38, n. 10, p. 1799-803, 1995Tradução . . Acesso em: 07 maio 2024. -
APA
Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (1995). New method for determining the front and back interface trap densities of accumulation mode soi mofets at 77k. Solid-State Electronics, 38( 10), 1799-803. -
NLM
Martino JA, Simoen E, Claeys C. New method for determining the front and back interface trap densities of accumulation mode soi mofets at 77k. Solid-State Electronics. 1995 ;38( 10): 1799-803.[citado 2024 maio 07 ] -
Vancouver
Martino JA, Simoen E, Claeys C. New method for determining the front and back interface trap densities of accumulation mode soi mofets at 77k. Solid-State Electronics. 1995 ;38( 10): 1799-803.[citado 2024 maio 07 ] - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
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