Starving plasma effect on pecvd hydrogenated amorphous silicon carbide (1995)
- Authors:
- USP affiliated authors: ALVAREZ, INES PEREYRA DE - EP ; CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Instituto de Informatica da Ufrgs
- Publisher place: Porto Alegre
- Date published: 1995
- Source:
- Título do periódico: Proceedings
- Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson e PEREYRA, Inés. Starving plasma effect on pecvd hydrogenated amorphous silicon carbide. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Paez Carreño, M. N., & Pereyra, I. (1995). Starving plasma effect on pecvd hydrogenated amorphous silicon carbide. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs. -
NLM
Paez Carreño MN, Pereyra I. Starving plasma effect on pecvd hydrogenated amorphous silicon carbide. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 mar. 28 ] -
Vancouver
Paez Carreño MN, Pereyra I. Starving plasma effect on pecvd hydrogenated amorphous silicon carbide. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 mar. 28 ] - 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures
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