Electronic structure of erbium centers in silicon (1995)
- Authors:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Materials Science Forum
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.196-201, p.579-84, 1995
-
ABNT
GAN, F e ASSALI, L. V. C. e KIMERLING, L C. Electronic structure of erbium centers in silicon. Materials Science Forum, v. 196-201, p. 579-84, 1995Tradução . . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Gan, F., Assali, L. V. C., & Kimerling, L. C. (1995). Electronic structure of erbium centers in silicon. Materials Science Forum, 196-201, 579-84. -
NLM
Gan F, Assali LVC, Kimerling LC. Electronic structure of erbium centers in silicon. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 579-84.[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Gan F, Assali LVC, Kimerling LC. Electronic structure of erbium centers in silicon. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 579-84.[citado 2024 abr. 19 ] - Propriedades físicas de impurezas profundas em silício
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