Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS' (1995)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Materials Science & Engineering B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.35, p.396-400, 1995
-
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 396-400, 1995Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Dias, I. F. L. (1995). Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B, 35, 396-400. -
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL. Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 396-400.[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL. Comparative studies of photoluminescence from n-and p-'GAMA'-doping wells in 'GA''AS'. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 396-400.[citado 2024 abr. 23 ] - Density functional theory for holes in semiconductors - replay
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