Simulacao numerica para caracteristicas de capacitancia - voltagem de gate de hemt (1996)
- Authors:
- Autor USP: HIPOLITO, OSCAR - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sbf
- Publisher place: Águas de Lindóia
- Date published: 1996
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
MANZOLI, J E e HIPÓLITO, Oscar. Simulacao numerica para caracteristicas de capacitancia - voltagem de gate de hemt. 1996, Anais.. Águas de Lindóia: Sbf, 1996. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Manzoli, J. E., & Hipólito, O. (1996). Simulacao numerica para caracteristicas de capacitancia - voltagem de gate de hemt. In Resumos. Águas de Lindóia: Sbf. -
NLM
Manzoli JE, Hipólito O. Simulacao numerica para caracteristicas de capacitancia - voltagem de gate de hemt. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Manzoli JE, Hipólito O. Simulacao numerica para caracteristicas de capacitancia - voltagem de gate de hemt. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Density of states of on-axis hydrogenic impurities in a 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' quantum-well wire of circular cross section
- Espectro de perda de energia de eletrons de um sistema semicondutor de dupla camada
- Impurity-bound magnetopolaron in 'GA''AS' quantum well structures
- Shallow donor impurity in quantum wire in the presence of a magnetic field
- Ground- and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
- Magnetic field effects on impurity states in quantum dots
- Surface electrons on helium film
- Numerical simulation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state: a possible submillimeter wave emitter without optical pumping
- Electron correlation effects in screened hydrogenic impurity states in many-valley semiconductors
- Interacao de particulas carregadas com a superficie de um material semi-infinito
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas