Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional (1996)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SUPERFÍCIE FÍSICA; CIRCUITOS ELETRÔNICOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Ifsc-Usp
- Publisher place: Sao Carlos
- Date published: 1996
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Simposio Interno da Pos-Graduacao do Ifsc
-
ABNT
MESSIAS, L G O e BASMAJI, Pierre. Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. 1996, Anais.. Sao Carlos: Ifsc-Usp, 1996. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Messias, L. G. O., & Basmaji, P. (1996). Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. In Resumos. Sao Carlos: Ifsc-Usp. -
NLM
Messias LGO, Basmaji P. Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Messias LGO, Basmaji P. Simulacao de dispositivos semicondutores pelo modelo de comutacao unidimensional. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Heteroestruturas 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' com mobilidade 390 x'10 POT.3''CENTIMETROS QUADRADOS' / v.S crescidas por mbe
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