Adsorção de moléculas de 'As IND.2' sobre as superfícies de GaAs (001): {Te, Se e S} e a formação das interfaces Ga As/Te/In As e Ga As/Si(Ge)/Al As (1997)
- Authors:
- Autor USP: MIWA, ROBERTO HIROKI - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SUPERFÍCIE FÍSICA; SUPERFÍCIE FÍSICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Data da defesa: 16.06.1997
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ABNT
MIWA, Roberto Hiroki. Adsorção de moléculas de 'As IND.2' sobre as superfícies de GaAs (001): {Te, Se e S} e a formação das interfaces Ga As/Te/In As e Ga As/Si(Ge)/Al As. 1997. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02072013-151151/. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Miwa, R. H. (1997). Adsorção de moléculas de 'As IND.2' sobre as superfícies de GaAs (001): {Te, Se e S} e a formação das interfaces Ga As/Te/In As e Ga As/Si(Ge)/Al As (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02072013-151151/ -
NLM
Miwa RH. Adsorção de moléculas de 'As IND.2' sobre as superfícies de GaAs (001): {Te, Se e S} e a formação das interfaces Ga As/Te/In As e Ga As/Si(Ge)/Al As [Internet]. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02072013-151151/ -
Vancouver
Miwa RH. Adsorção de moléculas de 'As IND.2' sobre as superfícies de GaAs (001): {Te, Se e S} e a formação das interfaces Ga As/Te/In As e Ga As/Si(Ge)/Al As [Internet]. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02072013-151151/
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