Transistor por efeito de campo e fotocondutor de poli(o-metoxianilina) (1998)
- Authors:
- USP affiliated authors: FARIA, ROBERTO MENDONCA - IFSC ; ONMORI, ROBERTO KOJI - EP
- Unidades: IFSC; EP
- DOI: 10.1590/s0104-14281998000100006
- Assunto: POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 1998
- Source:
- Título do periódico: Polímeros: Ciência e Tecnologia
- Volume/Número/Paginação/Ano: p. 38-45, jan./mar. 1998
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by
-
ABNT
ONMORI, Roberto Koji e MATTOSO, Luiz Henrique Capparelli e FARIA, Roberto Mendonça. Transistor por efeito de campo e fotocondutor de poli(o-metoxianilina). Polímeros: Ciência e Tecnologia, n. ja/mar. 1998, p. 38-45, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0104-14281998000100006. Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Onmori, R. K., Mattoso, L. H. C., & Faria, R. M. (1998). Transistor por efeito de campo e fotocondutor de poli(o-metoxianilina). Polímeros: Ciência e Tecnologia, ( ja/mar. 1998), 38-45. doi:10.1590/s0104-14281998000100006 -
NLM
Onmori RK, Mattoso LHC, Faria RM. Transistor por efeito de campo e fotocondutor de poli(o-metoxianilina) [Internet]. Polímeros: Ciência e Tecnologia. 1998 ;( ja/mar. 1998): 38-45.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0104-14281998000100006 -
Vancouver
Onmori RK, Mattoso LHC, Faria RM. Transistor por efeito de campo e fotocondutor de poli(o-metoxianilina) [Internet]. Polímeros: Ciência e Tecnologia. 1998 ;( ja/mar. 1998): 38-45.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0104-14281998000100006 - Devide model for POMA field-effect transistor
- Device model for polyaniline field-effect transistor
- Device model for polyaniline field-effect transistor
- Processo de fabricação de um mosfet de poli (o-metoxianilina)
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Informações sobre o DOI: 10.1590/s0104-14281998000100006 (Fonte: oaDOI API)
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