Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors (1997)
- Authors:
- Autor USP: MORELHAO, SERGIO LUIZ - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.120157
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Applied Physics Letters
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 71, n. 18, p. 2614-2616. 1997
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: bronze
-
ABNT
HAYASHI, M A et al. Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors. Applied Physics Letters, v. 71, n. 18, p. 2614-2616. 1997, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.120157. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Hayashi, M. A., Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Cardoso, L. P., Sasaki, J. M., Kretly, L. C., & Chang, S. L. (1997). Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors. Applied Physics Letters, 71( 18), 2614-2616. 1997. doi:10.1063/1.120157 -
NLM
Hayashi MA, Morelhão SL, Avanci LH, Cardoso LP, Sasaki JM, Kretly LC, Chang SL. Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 1997 ; 71( 18): 2614-2616. 1997.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.120157 -
Vancouver
Hayashi MA, Morelhão SL, Avanci LH, Cardoso LP, Sasaki JM, Kretly LC, Chang SL. Sensitivity Bragg surface diffraction to analyze ion-implanted semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 1997 ; 71( 18): 2614-2616. 1997.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.120157 - High-resolution synchrotron radiation Renninger scan to examine hybrid reflections in InGaP/GaAs(001)
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.120157 (Fonte: oaDOI API)
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