Fabrication process of free-standing polysilicon microfilaments using PECVD silicon oxide as a sacrifical layer (1997)
- Authors:
- USP affiliated authors: FURLAN, ROGERIO - EP ; MORIMOTO, NILTON ITIRO - EP ; SILVA, ANA NEILDE RODRIGUES DA - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: University of Southampton
- Publisher place: Southampton
- Date published: 1997
- Source:
- Título do periódico: Micromechanics Europe 97 : technical digest
- Conference titles: Workshop on Micromachines, Micromechanics & Microsyems
-
ABNT
SIMÕES, Eliphas Wagner et al. Fabrication process of free-standing polysilicon microfilaments using PECVD silicon oxide as a sacrifical layer. 1997, Anais.. Southampton: University of Southampton, 1997. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Simões, E. W., Furlan, R., Morimoto, N. I., Bonnaud, O., & Silva, A. N. R. da. (1997). Fabrication process of free-standing polysilicon microfilaments using PECVD silicon oxide as a sacrifical layer. In Micromechanics Europe 97 : technical digest. Southampton: University of Southampton. -
NLM
Simões EW, Furlan R, Morimoto NI, Bonnaud O, Silva ANR da. Fabrication process of free-standing polysilicon microfilaments using PECVD silicon oxide as a sacrifical layer. Micromechanics Europe 97 : technical digest. 1997 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Simões EW, Furlan R, Morimoto NI, Bonnaud O, Silva ANR da. Fabrication process of free-standing polysilicon microfilaments using PECVD silicon oxide as a sacrifical layer. Micromechanics Europe 97 : technical digest. 1997 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Influência do substrato de silicio policristalino na formação do siliceto de titânio
- PECVD SiO2 sacrificial layers for fabrication of free-standing polysilicon filaments. (em CD-Rom)
- Formação do siliceto de titânio pela deposição de uma dupla camada de 'SI'-a / 'TI' visando a utilização em linhas de interconexão local
- Estudo da formação do siliceto de titânio sobre silicio policristalino
- Tetraethylorthosilicate SiO2 films deposited at a low temperature
- The influence of process parameters on the electrical bahavior of silicon oxide thin films deposited by PECVD-TEOS
- Analysis of TEOS+O2 plasma - the influence of energy and gas flow on the deposition process
- Estudo e caracterização do processo PECVD-TEOS para a deposição de filmes de óxido de silício e estudo das interfaces
- Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom)
- Mach-zehnder interferometer simulation results for integrated optical pressure sensor
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas