Electronic properties and hyperfine parameters of gold-3d-transition-metal impurity pairs in silicon (1998)
- Authors:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.58.3870
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 58, n. 7, p. 3870-3878, 1998
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ASSALI, L. V. C. e JUSTO FILHO, João Francisco. Electronic properties and hyperfine parameters of gold-3d-transition-metal impurity pairs in silicon. Physical Review B, v. 58, n. 7, p. 3870-3878, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.3870. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (1998). Electronic properties and hyperfine parameters of gold-3d-transition-metal impurity pairs in silicon. Physical Review B, 58( 7), 3870-3878. doi:10.1103/physrevb.58.3870 -
NLM
Assali LVC, Justo Filho JF. Electronic properties and hyperfine parameters of gold-3d-transition-metal impurity pairs in silicon [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 7): 3870-3878.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.3870 -
Vancouver
Assali LVC, Justo Filho JF. Electronic properties and hyperfine parameters of gold-3d-transition-metal impurity pairs in silicon [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 7): 3870-3878.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.3870 - Electronic structure of erbium centers in silicon
- Propriedades físicas de impurezas profundas em silício
- Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors
- Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys
- Structural and electronic properties of hydrogen impurities in MgO
- A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond
- Complex centers of hydrogen in tin dioxide
- General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond
- Estados eletronicos de complexos envolvendo cobre e litio em germanio
- Calculos da estrutura eletronica de defeitos complexos em 'GA''AS' e em outros cristais semicondutores com carater ionico
Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.58.3870 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
