Modelagem do substrato e novos métodos de caracterização elétrica de SOI MOSFET (1998)
- Autor:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho são desenvolvidos novos modelos e métodos de caracterização elétrica de dispositivos SOI MOSFET em temperatura ambiente e em baixa temperatura. Todos os métodos propostos foram testados com o auxílio de um simulador numérico bidimensional e aplicados experimentalmente em dispositivos SOI MOSFET. Estes dispositivos foram implementados na tecnologia de 0,5 'mü'm SOI CMOS. Inicialmente é apresentado um novo modelo analítico de um SOI MOSFET de camada fina, que leva em consideração a queda de potencial de substrato, até então desprezada em modelos anteriores. Este modelo analítico foi comparado com os resultados obtidos por simulação numérica e constatado experimentalmente na temperatura ambiente e em baixatemperatura. Demonstrou-se que em várias condições de processo e temperatura, a influência do substrato em certos parâmetros elétricos dos SOI MOSFET, modo inversão e modo acumulação, não pode ser desprezada. Com o auxílio deste modelo do substrato, apresentou-se dois novos métodos para obtenção da densidade de carga efetiva no óxido na interface óxido enterrado/substrato em temperatura ambiente. A densidade de armadilhas de interface é outro parâmetro de difícil determinação em SOI MOSFET. Neste trabalho são também propostos dois outros novos métodos de obtenção deste parâmetro nas interfaces óxido de porta/canal e canal/óxido enterrado em baixa temperatura. Efeitostransitórios ocorridos devido a baixa temperatura são analisados e demonstraram não afetar os métodos de caracterização propostos.
- Imprenta:
- Data da defesa: 25.11.1998
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ABNT
MARTINO, João Antonio. Modelagem do substrato e novos métodos de caracterização elétrica de SOI MOSFET. 1998. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-23052022-112954/. Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Martino, J. A. (1998). Modelagem do substrato e novos métodos de caracterização elétrica de SOI MOSFET (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-23052022-112954/ -
NLM
Martino JA. Modelagem do substrato e novos métodos de caracterização elétrica de SOI MOSFET [Internet]. 1998 ;[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-23052022-112954/ -
Vancouver
Martino JA. Modelagem do substrato e novos métodos de caracterização elétrica de SOI MOSFET [Internet]. 1998 ;[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/3/tde-23052022-112954/ - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
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