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Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO (1999)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: NOGUEIRA, WILLIAN AURELIO - EP
  • USP Schools: EP
  • Sigla do Departamento: PEE
  • Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Language: Português
  • Abstract: Inicialmente são apresentados dados da literatura a respeito de ruptura da rigidez dielétrica em óxidos MOS e também dados experimentais para capacitores construídos em nosso laboratório (LSI) empregando o processo de oxidação térmica rápida (RTO). Especificamente neste trabalho foi desenvolvido um método de determinação da espessura do óxido de porta por capacitor a partir da análise das curvas CxV e IxV na região de Fowler-Nordheim. Este método faz uso da curva In(I/V 2x1/V), cuja inclinação permite a obtenção da espessura do óxido por capacitor. O programa computacional Breakpar foi desenvolvido para extração automática da distribuição de espessuras ao longo de uma dada lâmina de silício de grande área. Observou-se que para espessuras menores que 15nm, o campo máximo de ruptura tende a aumentar, acima dos 13MV/cm enquanto que para espessuras superiores aos 15nm o campo fica aproximadamente estável em torno dos 13 MV/cm. Na sequência, realizamos experimentos de injeção de corrente fixa nos capacitores, tanto a partir da porta como do substrato do capacitor sendo possível determinar os valores de carga para ruptura ('Q IND.bd'). Observou-se o que chamamos de "ruptura parcial" que precede ou não a ruptura definitiva. Por fim, propusemos uma interpretação plausível para a ruptura da rigidez dielétrica em óxidos RTO, especificamente, para os experimentos com rampa de tensão a taxa rápida (0,2V/s)
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 26.02.1999

  • Exemplares físicos disponíveis nas Bibliotecas da USP
    BibliotecaCód. de barrasNúm. de chamada
    EPEL31500009302FD-2420
    How to cite
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    • ABNT

      NOGUEIRA, Willian Aurélio; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO. 1999.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999.
    • APA

      Nogueira, W. A., & Santos Filho, S. G. dos. (1999). Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Nogueira WA, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO. 1999 ;
    • Vancouver

      Nogueira WA, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da ruptura da rigidez dielétrica em óxidos de porta MOS crescidos por RTO. 1999 ;

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