First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces (1999)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0039-6028(99)00282-4
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Surface Science
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 426, n. 1, p. 75-82, 1999
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces. Surface Science, v. 426, n. 1, p. 75-82, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00282-4. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1999). First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces. Surface Science, 426( 1), 75-82. doi:10.1016/s0039-6028(99)00282-4 -
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces [Internet]. Surface Science. 1999 ; 426( 1): 75-82.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00282-4 -
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces [Internet]. Surface Science. 1999 ; 426( 1): 75-82.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00282-4 - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0039-6028(99)00282-4 (Fonte: oaDOI API)
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