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Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InAs auto-formados (1999)

  • Authors:
  • Autor USP: SILVA, MARCELO JACOB DA - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • DOI: 10.11606/D.43.2017.tde-13032017-121314
  • Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES; FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA; POÇOS QUÂNTICOS
  • Keywords: CONDENSED MATTER; SEMICONDUCTORS
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho, estudamos o crescimento epitaxial por feixe molecular de pontos quânticos de InAs/GaAs, bem como sua propriedades ópticas e morfológicas. O método de crescimento, em baixa taxa foi usado para a fabricação de estruturas de pontos quânticos com alturas médias suficientes para a obtenção de resposta óptica nas faixas de 1,3'mü'm e 1,5'mü'm em temperatura ambiente. O interesse na manufatura desse tipo de amostra decorre do fato de serem estes os comprimento de onda de mínima atenuação de sinal em redes de transmissão por fibras ópticas. O estudo sistemático das etapas envolvidas na evolução de pontos quânticos de superfície no regime de baixa taxa de deposição permitiu entender como tais estruturas, com alturas médias bem maiores que as normalmente obtidas na literatura, puderam ser alcançadas. As condições de crescimento foram otimizadas para a produção de emissões estreitas nas faixas de comprimento de onda
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 20.12.1999
  • Acesso à fonteAcesso à fonteDOI
    Informações sobre o DOI: 10.11606/D.43.2017.tde-13032017-121314 (Fonte: oaDOI API)
    • Este periódico é de acesso aberto
    • Este artigo é de acesso aberto
    • URL de acesso aberto
    • Cor do Acesso Aberto: gold
    • Licença: cc-by-nc-sa

    How to cite
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    • ABNT

      SILVA, Marcelo Jacob da. Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InAs auto-formados. 1999. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-121314/. Acesso em: 24 abr. 2024.
    • APA

      Silva, M. J. da. (1999). Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InAs auto-formados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-121314/
    • NLM

      Silva MJ da. Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InAs auto-formados [Internet]. 1999 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-121314/
    • Vancouver

      Silva MJ da. Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InAs auto-formados [Internet]. 1999 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-121314/


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