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Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição por plasma de hexametildissilazana (2000)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: NOGUEIRA, SANDRINO - EP
  • USP Schools: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho teve como finalidade o desenvolvimento de um processo de deposição de filmes adequados à fabricação de microcanais. Para tais filmes, deseja-se resistência à corrosão por ácidos e bases fortes e/ou propriedades de adsorção. Osfilmes foram fabricados utilizando-se o reagente hexametildissilazana (HMDS) no intuito de se obter polímeros com propriedades semelhantes ao silicone. A polimerização do HMDS foi obtida utilizando-se a deposição química a vapor, tendo comofonte de energia o plasma, tanto indutivo como capacitivo. Os filmes foram caracterizados por perfilometria, elipsometria, FTIR, microscopia Raman e a medida do ângulo de contato. Testes de corrosão úmida utilizaram soluções ácidas e básicas,com pH que variavam de 1 a 14. Verificou-se, também, a afinidade por compostos orgânicos numa larga faixa de polaridade. Filmes que apresentaram Si-CH'IND.3' com maior intensidade relativa foram testados como promotor de aderência parafotorresiste positivo. A adição de oxigênio, argônio e nitrogênio ao plasma foi utilizada para obter-se filmes com uma estrutura mais semelhante à do silicone, para favorecer filmes com o maior número de ligações cruzadas e tentar formarligações Si-N, respectivamente. Observou-se a formação de estruturas Si-N-Si e Si-CH'IND.2'-Si além de Si-CH'IND.3', cuja intensidade diminui drasticamente com o aumento da potência, devido a remoção de compostos carbônicos do filme. Adição deAr e N'IND.2' ao plasma favorece a formação daestrutura Si-CH'IND.2'-Si e Si-N-Si em detrimento de Si-CH'IND.3' enquanto que O'IND.2' remove tanto Si-N-Si quanto Si-CH'IND.3'. Os filmes, de modo geral, apresentaram-se resistentes a ácidos ebases mas não a compostos orgânicos (ângulo de contato zero). Os filmes mais resistentes a HF são aqueles onde a intensidade relativa de Si- 'CH IND.3' é maior ou aqueles fabricados a partir de HMDS + 'O IND.2' ou HMDS + Ar. O filme obtido porpolimerização ) de HMDS permite a adesão de fotorresiste a substratos de vidro, o mesmo não ocorrendo com o filme obtido por HMDS + 'O IND.2'
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 04.02.2000

  • Exemplares físicos disponíveis nas Bibliotecas da USP
    BibliotecaCód. de barrasNúm. de chamada
    EPEL31500009388FD-2569
    How to cite
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    • ABNT

      NOGUEIRA, Sandrino; SILVA, Maria Lucia Pereira da. Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição por plasma de hexametildissilazana. 2000.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000.
    • APA

      Nogueira, S., & Silva, M. L. P. da. (2000). Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição por plasma de hexametildissilazana. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Nogueira S, Silva MLP da. Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição por plasma de hexametildissilazana. 2000 ;
    • Vancouver

      Nogueira S, Silva MLP da. Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição por plasma de hexametildissilazana. 2000 ;

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