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Espalhamento Raman em pontos quânticos de InGaAs (1999)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: VAZ, ALFREDO RODRIGUES - IF
  • USP Schools: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Subjects: MATÉRIA CONDENSADA
  • Language: Português
  • Abstract: Ilhas de 'In IND.X''Ga IND.1-X'As são de grande interesse no desenvolvimento tecnológico de lasers de diodos e diodos emissores de luz. As ilhas de 'In IND.X''Ga IND.1-X'As investigadas neste trabalho foram crescidas sobre um substrato semi-isolante de GaAs (001) pelo método de auto-organização usando epitaxia de feixe molecular. Este tipo de ilha, quando isolada e de pequeno tamanho, é considerada um ponto quântico ou sistema zero-dimensional. As amostras foram caracterizadas através do uso da microscopia de força atômica. A densidade e o tamanho dos pontos aumenta com a diminuição da fração molar de In, resultando em uma maior cobertura pra o caso de X=0,25. As características principais dos espectros Raman são os picos que correspondem aos modos LO e TO do substrato de GaAs. Duas estruturas adicionais aparecem no espectro: um pico estreito em '222 cm POT.-1' e uma banda larga de mais alta energia, que só é resolvida para X=0,25, centrada em '245 cm POT.-1'. O pico em '222 cm POT.-1' é provavelmente devido ao fônon LA(X) do GaAs normalmente proibido, induzido por defeitos. Para identificar a banda larga foi construído um modelo que considera: (i) a frequência Raman do modo tipo-InAs com caráter de LO como constante com a variação de x no InGaAs 3-D; (ii) efeitos de confinamento não afetam a frequência Raman dado ao tamanho dos pontos quânticos das amostras deste trabalho; (iii) A tensão escala com X e o valor máximo ocorre para o composto binárioInAs. Este modelo permite prever um intervalo de frequências para os pontos quânticos. O valor medido, '245 cm POT.-1'ND.1-X', está dentro deste intervalo e portanto foi atribuído ao modo tipo-InAs dos pontos quânticos de 'In IND.0,25''Ga IND.0,75'As. Considerações de simetria reforçam esta designação. Contribuições adicionais de fônons foram consideradas no intervalo de energia de interesse. Para analisar estas contribuições, foi feito um estudo detalhado dos ) fônons induzidos por desordem em camadas de GaAs, e espalhamento Raman de As cristalino e amorfo. A desordem foi produzida através da erosão por laser e a amostra de As foi formada por um processo de oxidação de um filme de AlAs. Comparação dos espectros Raman permitiu concluir que não houve contribuição de fônons induzidos por desordem no espectro do ponto quântico, seja de GaAs ou arsênio
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 26.11.1999
  • Acesso online ao documento

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    Exemplares físicos disponíveis nas Bibliotecas da USP
    BibliotecaCód. de barrasNúm. de chamada
    IF30500030191537.622 V393e M Ex.2
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    • ABNT

      VAZ, Alfredo Rodrigues; CRIVELENTI, Voila Lemos. Espalhamento Raman em pontos quânticos de InGaAs. 1999.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-14072014-163652/pt-br.php >.
    • APA

      Vaz, A. R., & Crivelenti, V. L. (1999). Espalhamento Raman em pontos quânticos de InGaAs. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-14072014-163652/pt-br.php
    • NLM

      Vaz AR, Crivelenti VL. Espalhamento Raman em pontos quânticos de InGaAs [Internet]. 1999 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-14072014-163652/pt-br.php
    • Vancouver

      Vaz AR, Crivelenti VL. Espalhamento Raman em pontos quânticos de InGaAs [Internet]. 1999 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-14072014-163652/pt-br.php

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