Accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures (1999)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: ELETROQUÍMICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 1999
- Source:
- Título do periódico: Electrochemical Society. Proceedings
- ISSN: 0161-6374
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 99-93, p. 287-292, 1999
- Conference titles: Silicon on Insulation Technology and Devices
-
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures. Electrochemical Society. Proceedings. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 abr. 2024. , 1999 -
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1999). Accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures. Electrochemical Society. Proceedings. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. -
NLM
Bellodi M, Martino JA. Accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures. Electrochemical Society. Proceedings. 1999 ; 99-93 287-292.[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Accumulation-mode SOI pMOSFETs at high-temperatures. Electrochemical Society. Proceedings. 1999 ; 99-93 287-292.[citado 2024 abr. 19 ] - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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