Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1) (2000)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Surface Science
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 454, p. 152-156, 2000
-
ABNT
MIOTTO, R. e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G P. Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1). Surface Science, v. 454, p. 152-156, 2000Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v454i0006&article=152_daonos&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2000). Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1). Surface Science, 454, 152-156. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v454i0006&article=152_daonos&form=pdf&file=file.pdf -
NLM
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1) [Internet]. Surface Science. 2000 ; 454 152-156.[citado 2024 abr. 26 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v454i0006&article=152_daonos&form=pdf&file=file.pdf -
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1) [Internet]. Surface Science. 2000 ; 454 152-156.[citado 2024 abr. 26 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v454i0006&article=152_daonos&form=pdf&file=file.pdf - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
- Interface geometry of ' ('ga''as') IND.N'' ('in''as') IND.N' and ' ('ga'P) IND.N'' ('in'P) IND.N' ultra-thin superlattices
- Electronic properties and stability of [001] 'GA''AS' / 'IN''AS', 'GA'p / 'IN'p,'GA IND.1-X''IN IND.X''AS' / 'GA''AS' ('IN''AS') and 'GA IND.1-X''IN IND.X'p / 'GA'p ('IN'p)
- Entalpia de formacao e estrutura eletronica de super-redes ultrafinas de iii-v / iv
- Estudo de pseudopotenciais de primeiros principios e sua aplicacao em semicondutores ii-vi
- Estados eletronicos e estrutura atomica da interface znse / znte (001)
- Estudo teorico da acao surfactante do 'TE' no crescimento de 'IN''AS': 'GA''AS'
- Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface
- Oxygen adsorption on CdTe(110)
- Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
