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Estudo da deposição em regime subtensão de Cd, Se e Te e da formação de monocamadas atômicas ordenadas de CdSe e CdTe sobre diferentes substratos em meios ácidos (2001)

  • Authors:
  • Autor USP: SANTOS, MAURO COELHO DOS - IQSC
  • Unidade: IQSC
  • Subjects: FÍSICO-QUÍMICA; METAIS; CD
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho foram estudadas as deposições em regime de subtensão DRS de Cd, Se e Te sobre Pt, Au e Au(110), bem como as deposições seqüenciais em regime de subtensão DSRS de CdSe e CdTe sobre Au e Au(110) em meios ácidos. As técnicas utilizadas foram: voltametria cíclica, eletrodo de disco-anel rotatório e microbalança eletroquímica de cristal de quartzo. Para a DRS de Cd sobre Pt verificou-se a formação de 0,5 monocamada de Cd com a ocupação de 1 sítio ativo de Pt por ad-átomo e, transferência de 1,5 elétrons em ácido perclórico e sulfúrico, sendo que, em ácido clorídrico foi envolvida a transferência de 2 elétrons entre o Cd e a Pt, provavelmente devido à estabilização da carga residual de Cd pelo cloreto. Para o eletrodo de Au a DRS de Cd ocorreu com a formação de 0,1 monocamada completa com a transferência de 2 elétrons e ocupação de 1 sítio ativo de Au por ad-átomo de Cd. Para a DRS de Cd sobre Au verificou-se a adsorção de bissulfato e cloreto por sobre os ad-átomos de Cd. No eletrodo monocristalino de Au(110) a DRS de Cd ocorreu de acordo com o modelo descrito sobre Au. A DRS de Se sobre Pt ocorreu por um processo de transferência de 4 elétrons e ocupação de 2 sítios de Pt por átomo de Se, com formação de 1 monocamada completa em ácido perclórico e 0,9 monocamada nos eletrólitos de ácido sulfúrico e clorídrico (devido à adsorção de ânions bissulfato e cloreto sobre Pt). Para o eletrodo de Au a DRS de Se nos eletrólitos de ácido perclórico e sulfúricoocorreu com a deposição de 0,7 monocamada de Se com a transferência de 4 elétrons e ocupação de 2 sítios ativos de Au por ad-átomo e, com o SeDRS adsorvido sendo oxidado a SeO2, que permaneceu na superfície do Au até ser reduzido a Se na varredura negativa. . Para o ácido clorídrico observou-se a formação de apenas 0,4 monocamada de Se com a presença de cloreto adsorvido sobre Au. ) Em Au(110) na presença de ânions perclorato e sulfato/bissulfato os recobrimentos observados para a DRS de Se foram de 0,75 monocamada, enquanto que para o eletrólito contendo cloreto foi de apenas 0,3 monocamada (4 elétrons transferidos e 2 sítios de Au(110) por ad-átomo de Se). A DRS de Te sobre Pt em todos os eletrólitos utilizados ocorreu com a transferência de 4 elétrons e ocupação de 2 sítios ativos do substrato. Entretanto, houve forte influência dos ânions do eletrólito, já que os recobrimentos encontrados foram de 1, 0,9 e 0,7 monocamada em HCl'O IND.4', 'H IND.2'S'O IND.4' e HCl 0,1 M, respectivamente. Para o eletrodo de Au os recobrimentos observados na DRS de Te foram : 1, 0,7 e 0,5 monocamada de Te sobre Au, com a transferência de 4 elétrons e ocupação de 2 sítios ativos de Au por átomo de Te, em HCl'O IND.4', 'H IND.2'S'O IND.4' e HCl 0,1 M, respectivamente. Para o eletrólito de ácido perclórico foi evidenciada a adsorção do íon Hte'O IND.2 POT.+' sobre Au, enquanto para os outros dois eletrólitos foi verificada a adsorção de ânions bissulfato e cloreto que inibiram adeposição de Te. No eletrodo monocristalino de Au(110) a DRS de Te mostrou-se bastante sensível à escolha do eletrólito, já que o recobrimentos foram de 1, 0,9 e 1,17 monocamada na presença de perclorato, sulfato/bissulfato e cloreto, respectivamente. A DSRS de CdSe sobre Au em meio de HCl'O IND.4' 0,1 M ocorreu, primeiramente, pela deposição de Se com a formação de 0,7 monocamada sobre Au (transferência de 4 elétrons e ocupação de dois sítios ativos do substrato) e subseqüentemente pela DRS de Cd sobre Se com a formação de 1 monocamada completa de Cd (transferência de 2 elétrons e ocupação de 1 sítio ativo de Se). Para os outros dois eletrólitos ('H IND.2'S'O IND.4' e HCl 0,1 M), a adsorção de ânions bissulfato e cloreto inibiu o processo DSRS. ) Para o caso do eletrodo de Au(110) a monocamada de CdSe depositada na presença dos ânions perclorato e sulfato/bissulfato tevê as mesmas características: o Se depositado sobre Au(110) com 0,75 monocamada com a transferência de 4 elétrons e o Cd depositado sobre os sítios de Se com a formação de uma monocamada e com a transferência de 2 elétrons. Para a DSRS de CdTe sobre Au, em meio de HCl'O IND.4' 0,1 M, o Te foi depositado com a formação de uma monocamada completa sobre Au com transferência de 4 elétrons e ocupação de 2 sítios ativos de Au por ad-átomo, enquanto o Cd foi depositado com a formação de uma monocamada completa sobre Te com a transferência de 2 elétrons e com a ocupação de 1sítio ativo de Te por átomo de Cd e Nos eletrólitos de 'H IND.2'S'O IND.4' 0,1 M e HCl 0,1 M não há formação de uma monocamada completa de Te sobre Au, 0,7 e 0,5 monocamada, respectivamente. Com o eletrodo de Au(110) a diferença observada em relação ao eletrodo policristalino foi a deposição de mais de um átomo de Cd para cada Te
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 30.07.2001

  • How to cite
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    • ABNT

      SANTOS, Mauro Coelho dos. Estudo da deposição em regime subtensão de Cd, Se e Te e da formação de monocamadas atômicas ordenadas de CdSe e CdTe sobre diferentes substratos em meios ácidos. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2001. . Acesso em: 19 abr. 2024.
    • APA

      Santos, M. C. dos. (2001). Estudo da deposição em regime subtensão de Cd, Se e Te e da formação de monocamadas atômicas ordenadas de CdSe e CdTe sobre diferentes substratos em meios ácidos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos.
    • NLM

      Santos MC dos. Estudo da deposição em regime subtensão de Cd, Se e Te e da formação de monocamadas atômicas ordenadas de CdSe e CdTe sobre diferentes substratos em meios ácidos. 2001 ;[citado 2024 abr. 19 ]
    • Vancouver

      Santos MC dos. Estudo da deposição em regime subtensão de Cd, Se e Te e da formação de monocamadas atômicas ordenadas de CdSe e CdTe sobre diferentes substratos em meios ácidos. 2001 ;[citado 2024 abr. 19 ]


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