Extraction of the lightly doped drain concentration of fully depleted SOI nMOSFETs using the back gate bias effect (2000)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/s0038-1101(99)00293-2
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Kidlington
- Date published: 2000
- Source:
- Título do periódico: Solid-State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 44, n. 4, p. 677-684, April 2000
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley et al. Extraction of the lightly doped drain concentration of fully depleted SOI nMOSFETs using the back gate bias effect. Solid-State Electronics, v. 44, n. 4, p. 677-684, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00293-2. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2000). Extraction of the lightly doped drain concentration of fully depleted SOI nMOSFETs using the back gate bias effect. Solid-State Electronics, 44( 4), 677-684. doi:10.1016/s0038-1101(99)00293-2 -
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Extraction of the lightly doped drain concentration of fully depleted SOI nMOSFETs using the back gate bias effect [Internet]. Solid-State Electronics. 2000 ; 44( 4): 677-684.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00293-2 -
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Extraction of the lightly doped drain concentration of fully depleted SOI nMOSFETs using the back gate bias effect [Internet]. Solid-State Electronics. 2000 ; 44( 4): 677-684.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00293-2 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
- Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0038-1101(99)00293-2 (Fonte: oaDOI API)
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