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Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos (2001)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: MARQUES, MARLOS SAMPAIO - EP
  • USP Schools: EP
  • Sigla do Departamento: PTC
  • Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; TRANSISTORES; CIRCUITOS INTEGRADOS; CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
  • Language: Português
  • Abstract: A atual tecnologia de fabricação de circuitos integrados (CI's) baseada na lógica CMOS ("Complementary Metal Oxide Semicondutor") vem enfrentando dificuldades para acompanhar as exigências do mercado com a constante necessidade de miniaturização. Uma das alternativas em proposta, denominada SOI ("Silicon-On-Insulator") visa a substituição do substrato de silício tradicional por um outro sobre isolante, tendo até então sido bem aceita como opção eficiente, confiável, estável e com custos cada vez mais equivalentes à produção vigente. O objetivo geral desta dissertação de mestrado é a verificação e estudo da vulnerabilidade de transistores SOI operando com carga totalmente depletada ao fenômeno físico indesejável que caracteriza o transistor bipolar parasitário, utilizando-se, para tanto, de um simulador numérico bidimensional. Discutiu-se o emprego correto dos modelos matemáticos e físicos a serem utilizados pelo simulador para o caso específico do transistor SOI, empregando-se uma desenvolvida base teórica e medições experimentais realizadas no laboratório de microeletrônica da Escola Politécnica da USP. Analisou-se as diversas teorias relacionadas aos fenômenos físicos que levam à atuação do transistor bipolar parasitário, estudando a influência da variação de parâmetros tecnológicos peculiares à tecnologia MOS, tais quais o comprimento efetivo de canal, espessura do filme e dos óxidos e dopagem de canal, sobre a ação do mesmo e, baseando-se nosresultados obtidos, propôs-se alternativas para se minimizar os efeitos deletérios do fenômeno, que será chamado neste documento de TBP
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 22.06.2001

  • Exemplares físicos disponíveis nas Bibliotecas da USP
    BibliotecaCód. de barrasNúm. de chamada
    EPEL31500010295FD-2916
    How to cite
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    • ABNT

      MARQUES, Marlos Sampaio; BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos. 2001.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001.
    • APA

      Marques, M. S., & Braga, N. L. de A. (2001). Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Marques MS, Braga NL de A. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos. 2001 ;
    • Vancouver

      Marques MS, Braga NL de A. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos. 2001 ;

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