Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP (2001)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0038-1098(00)00487-7
- Subjects: SEMICONDUTORES; MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES MECÂNICAS;PROPRIEDADES TÉRMICAS)
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Solid State Communications
- ISSN: 0038-1098
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 117, n. 6, p. 353-355, 2001
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SCHMIDT, T M et al. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, v. 117, n. 6, p. 353-355, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (2001). Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, 117( 6), 353-355. doi:10.1016/s0038-1098(00)00487-7 -
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7 -
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7 - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0038-1098(00)00487-7 (Fonte: oaDOI API)
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