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Propriedades ópticas e elétricas de filmes epitaxias de GaAs:Si crescidas na superfície (311) A (2002)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: SEMENZATO, MARCOS JOSE - ENGMAT
  • USP Schools: ENGMAT
  • Sigla do Departamento: FCM
  • Subjects: MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS); ÓPTICA
  • Language: Português
  • Abstract: Um estudo sistemático de caracterização de filmes de GaAs dopados com silício e crescidos por Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados na superfície (311)A, foi desenvolvido visando compreender os mecanismos de incorporação do Si no filme. Na superfície (311)A o Si tem comportamento anfótero, ou seja, pode ocupar tanto o sítio do Ga como o do As, os que resulta em filmes com portadores tipo n e p, respectivamente. A característica elétrica do filme depende, basicamente, das seguintes condições de crescimento: i) razão entre os fluxos de Ga e As; e ii) temperatura do substrato. As técnicas de caracterização utilizadas foram fundamentalmente fotoluminescência, IxV e Efeito Hall. A partir dos filmes de GaAS:Si crescidos na superfície (311)A, foram estudadas as caracteristicas elétricas de junções Metal-Semicondutor(M-SC) obtidas a partir da deposição seqüencial de AuGe/Ni e Au/Zn/Au para os filmes com características n e p respectivamente. A resistividade de contato foi estudada como função da temperatura e tempo de tratamento térmico, a partir de um sistema desenvolvido para RTA (Rapid Thermall Annealing), obtendo-se as condições ideais dos contatos no regime ôhmico. A técnica de Difração de R-X foi utilizada para verificar a evolução da microestrutura formada na interface M-SC, evidenciando a formação da fase AuGa, responsável pela característica ôhmica do contato. O estudo realizado serviu como base para o desenvolvimentode junções p-n baseadas na superficie (311)A e sua aplicação em dispositivos optoeletrônicos
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 19.04.2002
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    IFSC82001441Te1441
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    • ABNT

      SEMENZATO, Marcos José; MAREGA JUNIOR, Euclydes. Propriedades ópticas e elétricas de filmes epitaxias de GaAs:Si crescidas na superfície (311) A. 2002.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2002. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-03122002-103444/ >.
    • APA

      Semenzato, M. J., & Marega Junior, E. (2002). Propriedades ópticas e elétricas de filmes epitaxias de GaAs:Si crescidas na superfície (311) A. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-03122002-103444/
    • NLM

      Semenzato MJ, Marega Junior E. Propriedades ópticas e elétricas de filmes epitaxias de GaAs:Si crescidas na superfície (311) A [Internet]. 2002 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-03122002-103444/
    • Vancouver

      Semenzato MJ, Marega Junior E. Propriedades ópticas e elétricas de filmes epitaxias de GaAs:Si crescidas na superfície (311) A [Internet]. 2002 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-03122002-103444/