Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors (2001)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00819-5
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
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- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, v. 308, p. 489-492, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5. Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, 308, 489-492. doi:10.1016/s0921-4526(01)00819-5 -
NLM
Justo Filho JF, Fazzio A. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 489-492.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5 -
Vancouver
Justo Filho JF, Fazzio A. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 489-492.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5 - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00819-5 (Fonte: oaDOI API)
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