Devide model for POMA field-effect transistor (2002)
- Authors:
- USP affiliated authors: FARIA, ROBERTO MENDONCA - IFSC ; ONMORI, ROBERTO KOJI - EP
- Unidades: IFSC; EP
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; POLÍMEROS (MATERIAIS)
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Fudan University, Research Center for Theoretical Physics
- Publisher place: Shanghai
- Date published: 2002
- Source:
- Título do periódico: Book of abstracts
- Conference titles: International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals - ICSM 2002
-
ABNT
BIANCHI, Rodrigo Fernando e FARIA, Roberto Mendonça e ONMORI, Roberto Koji. Devide model for POMA field-effect transistor. 2002, Anais.. Shanghai: Fudan University, Research Center for Theoretical Physics, 2002. . Acesso em: 05 maio 2024. -
APA
Bianchi, R. F., Faria, R. M., & Onmori, R. K. (2002). Devide model for POMA field-effect transistor. In Book of abstracts. Shanghai: Fudan University, Research Center for Theoretical Physics. -
NLM
Bianchi RF, Faria RM, Onmori RK. Devide model for POMA field-effect transistor. Book of abstracts. 2002 ;[citado 2024 maio 05 ] -
Vancouver
Bianchi RF, Faria RM, Onmori RK. Devide model for POMA field-effect transistor. Book of abstracts. 2002 ;[citado 2024 maio 05 ] - Device model for polyaniline field-effect transistor
- Device model for polyaniline field-effect transistor
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