Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study (2002)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0042-207x(02)00184-7
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; SEMICONDUTORES; VÁCUO
- Language: Inglês
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- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
FERRAZ, A. C. e MIOTTO, R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study. Vacuum, v. 67, n. 1, p. 31-35, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Ferraz, A. C., & Miotto, R. (2002). Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study. Vacuum, 67( 1), 31-35. doi:10.1016/s0042-207x(02)00184-7 -
NLM
Ferraz AC, Miotto R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study [Internet]. Vacuum. 2002 ; 67( 1): 31-35.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7 -
Vancouver
Ferraz AC, Miotto R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study [Internet]. Vacuum. 2002 ; 67( 1): 31-35.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7 - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0042-207x(02)00184-7 (Fonte: oaDOI API)
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