Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
- Authors:
- USP affiliated authors: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 29 mar. 2024. -
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Noriega, O. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., & Lischka, K. (2002). Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 mar. 29 ] -
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 mar. 29 ] - Density functional theory for holes in semiconductors - replay
- First principles studies of point defects and impurities in cubic boron nitride
- Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico
- Dopagem delta em super-redes semicondutoras submetidas a campos magnéticos
- Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores
- Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'
- Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS'
- Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices
- Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study
- Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas