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Estudo de interfaces em poços quânticos de GaAs/Galnp (2002)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: MARTINS, MARCIO ROBERTO - IFSC
  • USP Schools: IFSC
  • Subjects: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
  • Language: Português
  • Abstract: No presente trabalho concentramos nossos estudos nas propriedades do sistema GaInP/GaAs, particularmente nas propriedades estruturais das interfaces e sua correlação com as propriedades ópticas. Subdividimos esta dissertação em duas partes principais, a primeira trata da investigação de amostras crescidas por CBE (Chemical Beam Epitaxy), onde no crescimento das interfaces variou-se diversos parâmetros, visando a melhoria do perfil das interfaces. Desse estudo concluímos que o crescimento de uma camada de GaP na primeira interface (GaAs crescido sobre GaInP) pode melhorar sua qualidade. A partir desta informação, na segunda parte, realizamos estudo para um conjunto de amostras crescidas pela técnica MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) com diferentes larguras de poços, e contendo uma monocamada de GaP na primeira interface. Os dados experimentais obtidos nesta segunda parte foram analisados à luz do modelo dos mínimos locais e absolutos e da mecânica estatística predictiva. A análise dos nosso resultados experimentais, usando os modelos teóricos, mostrou-se consistente e coerente. Ainda, por meio da mecânica estatística predicitiva ajustamos os dados experimentais de PL e obtivemos outras duas grandezas físicas, a energia cinética média dos portadores e o índice entrópico informacional, usados para indicar a qualidade das interfaces. Finalmente, observando que os modelos utilizados descreviam com sucesso os resultados experimentais,passamos a analisar um conjunto de amostras no qual mantivemos todos os demais parâmetros de crescimento fixos e variamos a espessura da camada de GaP na primeira interface. A análise mostrou excelente consistência e coerência dos resultados, permitindo confirmar a potencialidade dos modelos téoricos utilizados no tratamento dos dados experimentais e também ampliar a compreensão sobre o papel da camada de GaP na uniformização das interfaces dos poços quânticos de GaInP/GaAs
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 10.12.2002
  • Acesso online ao documento

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    • ABNT

      MARTINS, Marcio Roberto; OLIVEIRA, José Brás Barreto. Estudo de interfaces em poços quânticos de GaAs/Galnp. 2002.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2002. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-20082015-165426/pt-br.php >.
    • APA

      Martins, M. R., & Oliveira, J. B. B. (2002). Estudo de interfaces em poços quânticos de GaAs/Galnp. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-20082015-165426/pt-br.php
    • NLM

      Martins MR, Oliveira JBB. Estudo de interfaces em poços quânticos de GaAs/Galnp [Internet]. 2002 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-20082015-165426/pt-br.php
    • Vancouver

      Martins MR, Oliveira JBB. Estudo de interfaces em poços quânticos de GaAs/Galnp [Internet]. 2002 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-20082015-165426/pt-br.php

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