Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de In'As IND.1-x''p IND.x' sobre GaAs (2003)
- Authors:
- Autor USP: BUFON, CARLOS CÉSAR BOF' - IFSC
- Unidade: IFSC
- Sigla do Departamento: FCM
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Abstract: O crescimento de pontos quânticos a partir do descasamento dos parâmetros de rede tem sido alvo de intensos estudos nos últimos dez anos. Conhecer as propriedades eletrônicas destes materiais é chave para a engenharia de sistemas quânticos. O objetivo deste trabalho é estudar as propriedades eletrônicas de pontos quânticos (QD) de In'As IND.1-X''P IND.X' enterrados em GaAs, através de Espectroscopia de Capacitância (C-V). A Espectroscopia C-V é uma técnica que permite determinar os estados eletrônicos e a distribuição de cargas do sistema. As amostras de In'As IND.1-x''P IND.x' foram crescidas por MOC VD (Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition) sobre um substrato de GaAs:Cr (001). A estrutura das amostras é do tipo MIS (Metal-Isolante-Semicondutor) com um contato traseiro do tipo n. As medidas de capacitância foram feitas a 4,2 K para diferentes valores de freqüência e campo magnético. A partir da dispersão dos estados confinados com o campo magnético aplicado perpendicular ao plano dos pontos quânticos, pode-se determinar,'ômega IND.0', a freqüência natural do sistema. A partir de 'ômega IND.0', determinou-se 'iota IND.0', o comprimento característico da função de onda. A concordância entre os valores de 'iota IND.0' com as dimensões laterais dos pontos quânticos obtidos por microscopia eletrônica de transmissão (TEM) é boa. Finalmente, através das medidas de espectroscopia C V pode-se separar os efeitos de confinamento lateral e vertical, permitindoum melhor entendimento dos espectros de fotoluminescência (PL), assim como os detalhes da forma dos QD obtidos por TEM
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2003
- Data da defesa: 19.02.2003
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ABNT
BUFON, Carlos César Bof. Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de In'As IND.1-x''p IND.x' sobre GaAs. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-09032009-152432/. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Bufon, C. C. B. (2003). Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de In'As IND.1-x''p IND.x' sobre GaAs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-09032009-152432/ -
NLM
Bufon CCB. Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de In'As IND.1-x''p IND.x' sobre GaAs [Internet]. 2003 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-09032009-152432/ -
Vancouver
Bufon CCB. Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de In'As IND.1-x''p IND.x' sobre GaAs [Internet]. 2003 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-09032009-152432/
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