Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices (2002)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/s0038-1101(02)00067-9
- Assunto: FILMES FINOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Solid-State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: 46, n. 9, p. 1381-1387, September 2002
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley et al. Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. Solid-State Electronics, n. 9, p. 1381-1387, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00067-9. Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2002). Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. Solid-State Electronics, ( 9), 1381-1387. doi:10.1016/s0038-1101(02)00067-9 -
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices [Internet]. Solid-State Electronics. 2002 ;( 9): 1381-1387.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00067-9 -
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices [Internet]. Solid-State Electronics. 2002 ;( 9): 1381-1387.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00067-9 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0038-1101(02)00067-9 (Fonte: oaDOI API)
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