Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon (2003)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0026-2692(03)00106-x
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Microelectronics Journal
- ISSN: 0026-2692
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
LAMAS, T. E. et al. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Lamas, T. E., Martini, S., Silva, M. J. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 701-703. doi:10.1016/s0026-2692(03)00106-x -
NLM
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x -
Vancouver
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x - Optical characterization of GaAs/AlAs multiple quantum wells interfaces
- Fônons de borda da zona de brillouin induzidos em espalhamento raman por defeito local
- Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy
- Optically determined carrier transport in InGaAs-GaAs quantum wells
- Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence
- Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient
- Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities
- Crescimento e caracterizacao optica de heteroestrutura de 'AL IND.X'ga ind.1-x''as' / 'ga''as' E 'in ind.Y''ga ind.1-y''as' / 'ga''as'
- Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric in 'GA''AS' / 'GA''AS' n-type 'GAMA'-doped quantum wells
- Optimization of MBE-grown of distributed Bragg reflectors for the fabrication optical devices
Informações sobre o DOI: 10.1016/s0026-2692(03)00106-x (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 | 1-s2.0-S002626920300106X-... |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
