Spin-polarized current produced by a double barrier resonant tunneling diode (2003)
- Authors:
- Autor USP: GUOQIANG, HAI - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/s0038-1098(03)00451-4
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Solid State Communications
- ISSN: 0038-1098
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 127, n. 7, p. 489-492, Aug. 2003
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
XIA, J. B. e HAI, Guo-Qiang e WANG, J.N. Spin-polarized current produced by a double barrier resonant tunneling diode. Solid State Communications, v. 127, n. 7, p. 489-492, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(03)00451-4. Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Xia, J. B., Hai, G. -Q., & Wang, J. N. (2003). Spin-polarized current produced by a double barrier resonant tunneling diode. Solid State Communications, 127( 7), 489-492. doi:10.1016/s0038-1098(03)00451-4 -
NLM
Xia JB, Hai G-Q, Wang JN. Spin-polarized current produced by a double barrier resonant tunneling diode [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 127( 7): 489-492.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(03)00451-4 -
Vancouver
Xia JB, Hai G-Q, Wang JN. Spin-polarized current produced by a double barrier resonant tunneling diode [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 127( 7): 489-492.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(03)00451-4 - Optically detected magnetophonons resonance in polar semiconductors
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0038-1098(03)00451-4 (Fonte: oaDOI API)
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