AB initio calculation of the (100) and surface phonon dispersion of GaAs and GaN (2003)
- Authors:
- USP affiliated authors: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26
-
ABNT
ALVES, H W Leite et al. AB initio calculation of the (100) and surface phonon dispersion of GaAs and GaN. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). AB initio calculation of the (100) and surface phonon dispersion of GaAs and GaN. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. AB initio calculation of the (100) and surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. AB initio calculation of the (100) and surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Density functional theory for holes in semiconductors - replay
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