An asymmetric channel SOI nMOSFET for reducing parasitic effects and improving output characteristics (2000)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/1.1390955
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2000
- Source:
- Título do periódico: Electrochemical and Solid-State Letters
- ISSN: 1099-0062
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 3, n. 1, p. 50-52, Jan. 2000
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio et al. An asymmetric channel SOI nMOSFET for reducing parasitic effects and improving output characteristics. Electrochemical and Solid-State Letters, v. 3, n. Ja 2000, p. 50-52, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.1390955. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Pavanello, M. A., Martino, J. A., Dessard, V., & Flandre, D. (2000). An asymmetric channel SOI nMOSFET for reducing parasitic effects and improving output characteristics. Electrochemical and Solid-State Letters, 3( Ja 2000), 50-52. doi:10.1149/1.1390955 -
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Dessard V, Flandre D. An asymmetric channel SOI nMOSFET for reducing parasitic effects and improving output characteristics [Internet]. Electrochemical and Solid-State Letters. 2000 ; 3( Ja 2000): 50-52.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.1390955 -
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Dessard V, Flandre D. An asymmetric channel SOI nMOSFET for reducing parasitic effects and improving output characteristics [Internet]. Electrochemical and Solid-State Letters. 2000 ; 3( Ja 2000): 50-52.[citado 2024 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.1390955 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
- Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
- Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K
- Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of soi nmosfets for analog applications
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Informações sobre o DOI: 10.1149/1.1390955 (Fonte: oaDOI API)
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