Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon (2004)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada
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ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SCHMIDT, Tome Mauro e FAZZIO, Adalberto. Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf. Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Arantes Junior, J. T., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2004). Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf -
NLM
Arantes Junior JT, Schmidt TM, Fazzio A. Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf -
Vancouver
Arantes Junior JT, Schmidt TM, Fazzio A. Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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