Controlled motion in microbridges of silicon carbide obtained by PECVD (2004)
- Authors:
- Autor USP: CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- Subjects: MICROELETRÔNICA; FILMES FINOS; ELETROQUÍMICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: The Electrochemical Society
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2004
- ISBN: 1-56677-416-0
- Source:
- Título do periódico: Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2004
-
ABNT
REHDER, Gustavo Pamplona e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Controlled motion in microbridges of silicon carbide obtained by PECVD. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 20 abr. 2024. -
APA
Rehder, G. P., & Paez Carreño, M. N. (2004). Controlled motion in microbridges of silicon carbide obtained by PECVD. In Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society. -
NLM
Rehder GP, Paez Carreño MN. Controlled motion in microbridges of silicon carbide obtained by PECVD. Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 abr. 20 ] -
Vancouver
Rehder GP, Paez Carreño MN. Controlled motion in microbridges of silicon carbide obtained by PECVD. Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 abr. 20 ] - Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process
- Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication
- Software de simulação e visualização dos processos de microfabricação em superfície para sistemas micro-opto-eletro-mecânico (MOEMS)
- Filmes de carbeto de silício de alto gap óptico obtidos pela técnica de PECVD
- Phosphorus implantation on near stoichiometric a-SIC:H films
- Ferramentas de visualização dinâmica para software de visualização e simulação de processos de microfabricação
- Ferramentas gráficas para desenho de estruturas complexas em software de visualização e simulação de processos de microfabricação
- Materiais obtidos por PECVD: tecnologia e dispositivos
- In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films
- Dopagem tipo N de filmes de carbeto de silício obtido por PECVD
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
