I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices (2003)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Volume/Número/Paginação/Ano: São Paulo : SBF, 2003
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26
-
ABNT
SOUSA, J S de et al. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Sousa, J. S. de, Barros, E. B., Freire, V. N., Silva Júnior, E. F. da, Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2003). I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Sousa JS de, Barros EB, Freire VN, Silva Júnior EF da, Leite JR, Scolfaro LMR. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Sousa JS de, Barros EB, Freire VN, Silva Júnior EF da, Leite JR, Scolfaro LMR. I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Density functional theory for holes in semiconductors - replay
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