Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition (2005)
- Authors:
- USP affiliated authors: MATSUOKA, MASAO - IF ; ISOTANI, SADAO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1116/1.1839895
- Subjects: MATERIAIS; ESPECTROSCOPIA DE RAIO X; VÁCUO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Journal of Vacuum Science & Technology A
- ISSN: 0734-2101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 23, n. 1, p. 137-141, 2005
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MATSUOKA, Masao et al. Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition. Journal of Vacuum Science & Technology A, v. 23, n. 1, p. 137-141, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1116/1.1839895. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Matsuoka, M., Isotani, S., Mittani, J. C. R., Chubaci, J. F. D., Ogata, K., & Kuratani, N. (2005). Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition. Journal of Vacuum Science & Technology A, 23( 1), 137-141. doi:10.1116/1.1839895 -
NLM
Matsuoka M, Isotani S, Mittani JCR, Chubaci JFD, Ogata K, Kuratani N. Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2005 ; 23( 1): 137-141.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.1839895 -
Vancouver
Matsuoka M, Isotani S, Mittani JCR, Chubaci JFD, Ogata K, Kuratani N. Effects of arrival rate and gas pressure on the chemical bonding and composition in titanium nitride films prepared on Si(100) substrates by ion beam and vapor deposition [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology A. 2005 ; 23( 1): 137-141.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.1839895 - X-ray photoelectron spectroscopy analysis of zirconium nitride-like filmsprepared on Si(100) substrates by ion beam assisted deposition
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Informações sobre o DOI: 10.1116/1.1839895 (Fonte: oaDOI API)
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