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Cálculo de propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras quase zero-dimensionais (Quantum Dots) (2006)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: SANTOS, ELTON MARCIO DA SILVA - IFSC
  • USP Schools: IFSC
  • Sigla do Departamento: FFI
  • Subjects: SEMICONDUTORES; NANOTECNOLOGIA; FOTOLUMINESCÊNCIA
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho utilizamos o método 'VET.k'.'VET.p' na aproximação de função envelope, que é uma ferramenta muito útil para a solução de problemas relacionados a heteroestrutura em geral. Apresentamos a análise de heteroestruturas semicondutoras com confinamentos especial nas três direções (Quantum Dots) , utilizando o Hamiltoniano de Kane (8x8) em sua forma generalizada para descrever os estados dos elétrons na banda de condução e na banda de valência. Fazendo uso dessa ferramenta foram realizadas simu]ações de estruturas de banda em sistemas quase zero-dimensionais de InAs em matrizes de GaAs, em vários formatos e dimensões e sob diferentes estados de tensionamento. Um estudo sistemático de como as propriedades geométricas e as dimensões de um dado sistema podem influenciar os seus estados eletrônicos foi também realizado e puderam ser confirmadas a presença de estados localizados e a sensibiJidade do comportamento dos estados eletrônicos a estas propriedades. Pudemos observar um deslocamento para o vermelho no espectro de fotoluminescência com o aumento das dimensões dos sistemas estudados. Foram ainda realizados cálculos de Quantum Dots de InN em matriz de GaN, que permitem explorar outras regiões do espectro eletromagnético e estudamos o comportamento dos mesmos sob estados de tensionamentos diferentes. Com base nos autoestados do sistema foram calculados espectros de fotoluminescência para as heteroestruturas aqui estudadas, permitindo uma comparaçãodireta com resultados experimentais. Como pode-se verificar que o strain exerce importância primordial na determinação dos estados eletrônicos dos sistemas estudados e na presença do strain hidrostático observa-se mudanças apreciáveis na resposta óptica do material, onde vê-se um deslocamento para o azul
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 28.06.2006
  • Acesso online ao documento

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    IFSC82001749Te1749
    How to cite
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    • ABNT

      SANTOS, Elton Márcio da Silva; SIPAHI, Guilherme Matos. Cálculo de propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras quase zero-dimensionais (Quantum Dots). 2006.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2006. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-08052007-130459/ >.
    • APA

      Santos, E. M. da S., & Sipahi, G. M. (2006). Cálculo de propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras quase zero-dimensionais (Quantum Dots). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-08052007-130459/
    • NLM

      Santos EM da S, Sipahi GM. Cálculo de propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras quase zero-dimensionais (Quantum Dots) [Internet]. 2006 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-08052007-130459/
    • Vancouver

      Santos EM da S, Sipahi GM. Cálculo de propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras quase zero-dimensionais (Quantum Dots) [Internet]. 2006 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-08052007-130459/

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