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Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS (2007)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: ALBERTIN, KATIA FRANKLIN - EP
  • USP Schools: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: DIELÉTRICOS (PROPRIEDADES); DISPOSITIVOS SUPERCONDUTORES; CAPACITORES; ESTRUTURA DOS MATERIAIS; SILÍCIO
  • Language: Português
  • Abstract: Foram estudados filmes de oxinitreto de silício obtidos por PECVD à 320°C, a partir da mistura gasosa de N2O+SiH4+He, com diferentes valores de pressão e potência de deposição com o objetivo de produzir boa qualidade de interface deste material com o Si e de obter uma baixa densidade de carga efetiva visando a aplicação desses filmes em dispositivos semicondutores MOS. Os resultados mostraram que com uma pressão de deposição de 0,160 mbar e potências menores que 125 W/cm² é possível obter um Dit de 4x10¹° eV-¹.cm-² , Ebd de 13 MV/cm, valores comparáveis ao SiO2 térmico e um Nss de 4x10¹¹ cm-². Segundo resultados experimentais esse valor de Nss é o mínimo possível que se pode atingir com a limpeza química utilizada em nosso laboratório. Pode-se dizer que estes são resultados bastante interessantes considerando que se trata de um material obtido por PECVD à baixa temperatura, porém viável para aplicação em dispositivos MOS. Iniciando os estudos com dielétricos de maiores valores de k optamos por estudar filmes de TiOx (k=40-100), obtidos por sputtering reativo, a partir da mistura gasosa de Ar+O2 e utilizando alvo de Ti. Foram fabricados capacitores MOS com estes filmes e obteve-se valores de constante dielétrica que variaram de 40-160. Porém esses materiais ainda apresentavam valores apreciáveis de corrente de fuga que foram minimizadas em ordens de grandeza quando utilizados dielétricos de dupla camada com SiO2 ou SiOxNy (otimizado neste trabalho) na interface,além de se observar uma melhora significativa da qualidade de interface. Utilizando dupla camada dielétrica com filmes de SiOxNy e SiO2, ainda espessos ('> ou =' 1nm) para camada intermediária, obteve-se uma constante dielétrica efetiva em torno de 20. Vale ressaltar que os dois filmes SiOxNy e TiOx, conseqüentemente a dupla camada, foram fabricados a baixas temperaturas
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 04.10.2007
  • Acesso online ao documento

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    BibliotecaCód. de barrasNúm. de chamada
    EPBC31200020119FT-2453
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    • ABNT

      ALBERTIN, Katia Franklin; PEREYRA, Inés. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS. 2007.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/ >.
    • APA

      Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2007). Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/
    • NLM

      Albertin KF, Pereyra I. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/
    • Vancouver

      Albertin KF, Pereyra I. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS [Internet]. 2007 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/

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