Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos (2008)
- Authors:
- Autor USP: PAGNOSSIN, IVAN RAMOS - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Subjects: EFEITO HALL; FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA; FOTODETECTORES
- Language: Português
- Abstract: Apresentamos neste trabalho três estudos sobre o transporte de cargasem heteroestruturas contendo pontosquânticos. Para isso, efetuamos medidas dos efeitos Hall clássico e quântico inteiro, do Shubnikov-de Haas e da localização-fraca em baixas temperaturas (de 0,05 a 5 K) e em campos magnéticos de até 15 T. No primeiro destes estudos utilizamos uma heteroestrutura de poço-quântico duplo (bicamada) com uma rede de pontos-quânticos hexagonal construída por litografia na superfície da amostra. Observamos, pela primeira vez (até onde sabemos), que quando o fator de preenchimento total é dois, os pontos-quânticos afetam a dinâmica dos elétrons no poço-quântico mais próximo da superfície, dando origem a umplatô "Hall" com resistência diferente daquela prevista pelo efeito Hall quântico inteiro. Acreditamos que este fenômeno se deva à presença de estados de borda contra-rotativos, previstos em 1992 por Johnson et al [1]. No segundo estudo utilizamos o fenômeno da localização-fraca para determinar a influência de pontosquânticos de InAs auto-organizados no tempo de coerência da função de onda de um sistema bidimensional de elétrons (poço-quântico de InGaAs) próximo a eles. Observamos que, embora o acúmulo de tensão mecânica durante o crescimento epitaxial prejudique a mobilidade quântica desses elétrons, ele também aumenta o tempo de coerência. Concluímos daí que a tensão mecânica reduz o espaço de fases dos elétrons no poço-quântico. Finalmente, determinamos aspropriedades básicas do transporte de cargas em heteroestruturas contendo pontos-quânticos e visando sua utilização na fabricação de fotodetectores de infravermelho. Observamos que o empilhamento de pontos-quânticos auto-organizados pode ser organizado de modo a maximizar a mobilidade e, com isso, melhorar as características operacionais de um tal dispositivo. No entanto, é importante observar que, por questões de infra-estrutura, não foi nosso objetivo ) objetivo fabricar esses dispositivos
- Imprenta:
- Data da defesa: 15.02.2008
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ABNT
PAGNOSSIN, Ivan Ramos. Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052008-125518/. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Pagnossin, I. R. (2008). Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052008-125518/ -
NLM
Pagnossin IR. Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos [Internet]. 2008 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052008-125518/ -
Vancouver
Pagnossin IR. Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos [Internet]. 2008 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052008-125518/ - Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs
- Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells
- Influence of the 'AL' concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled 'AL' IND. 'qui''GA' IND. 1−'qui''AS'/'AL''AS'/'AL' IND. gama''GA IND. 1−'gama''AS' double quantum wells
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