The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations (2009)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.susc.2009.03.008
- Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Surface Science
- ISSN: 0039-6028
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 603, n. 9, p. 1229-1235, 2007
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations. Surface Science, v. 603, n. 9, p. 1229-1235, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2009.03.008. Acesso em: 25 abr. 2024. -
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2009). The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations. Surface Science, 603( 9), 1229-1235. doi:10.1016/j.susc.2009.03.008 -
NLM
Miotto R, Ferraz AC. The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations [Internet]. Surface Science. 2009 ; 603( 9): 1229-1235.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2009.03.008 -
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. The role of carbon impurities on the Si(001)-c(4X 4) surface reconstruction: Theoretical calculations [Internet]. Surface Science. 2009 ; 603( 9): 1229-1235.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2009.03.008 - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.susc.2009.03.008 (Fonte: oaDOI API)
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